SJ 50033.52-1994 半导体分立器件.CS0529型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范
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ID： |
F9A5303D969E44CFA36D5120D2449193 |
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文件大小(MB)： |
0.61 |
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页数： |
14 |
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日期： |
2024-7-28 |
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中华人民共和国电子行业军用标准,FL 5961 SJ 50033.52-94,半导体分立哭件,CS0529型珅化钱微波功率场效应,晶体管详细规范,semiconductor discrete device,Detail specification for type CS0529 GaAs microwave,Power field effect transistor,1994-09-30 发布1994-12-01 实施,中华人民共和国电子工业部批;隹,中华人民共和国电子行业军用标准,半导体分立器件,CS0529型碑化綿微波功率场效应晶体管 SJ 50033 52T4,详细规范,semiconductor discrete device,Detail specification for type CS0529 GaAs microwave,Power field effect transistor,范围,11主题内容,本规范规定了 CSO529型神化傢微波功率场效应晶体管（以下简称器件）的详细要求,1.2 适用范围,本规范适用于器件的研制、生产和采购,1.3 分类,本规范根据器件质量保证等级进行分类.,1.3.1 器件的等级,按GJB 33《半导体分立器件总规范》1. 3条的规定,提供的质量保证等级为普军、特军和超,特军三级,分别用字母GP、GT和GCT表示,2引用文件,GB 4586-84场效应晶体管测试方法,GJB 33-85 半导体分立器件总期范,GJB 128-86半导体分立器件试验方法,3要求,3.1 详细要求,?各项要求应符合GJB 33和本规范的规定.,3.2 设计、结构和外形尺寸,器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB 33和本规范的规定,3.2.1 引出端材料和涂层 ‘,引出端材料应为可伐,表面涂层应为金.,3.2.2 外形尺寸,外形尺寸见图1,中华人民共和国电子工业部1994-09-30发布 1994-12-01实施,SJ 50033.52-94,mm 续表 mm,、ぐ寸,符号、、,最小值,、尺寸,最大值 ぶ、,ft小値ft大值,K 4*0 册4 5 3.25 3. 55,K 3*0 3丒4 L &,F 0, 75 L15 尸1.65 1. 95,A L5 L9 b 0， 55 0* 65,C 一3.0 q 7丒3,.,7丒7,10*7 1L3,图1外形图,3.3 最大额定值和主要电特性,3- 3-1最大额定值,注:D”>25C时按9. 33mW/C线性降额.,型 号rc=35-C,(W),Vna,(V),Vgs,(V),7d,(mA),Tj,9 (U),SU5Z9 K4 13 -7 7dss 175 —65 .175,SJ 50033.52-94,3.3-2主要电特性（Ta=25C）,\符,极、号,キ,一擧号、,Ires VosMh lass,Vdsh3V. Vg=3V. Vos ——6Vt,Vgs-OV, 二 /n^lOmA VCS = OV.,
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